【摘 要】
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本文比较讨论了制作256K位以上容量的MOS动态RAM的三种迭式电容器型存贮单元。这是把存贮电容器迭加在晶体管和场氧化膜上面构成的存贮单元。其抗X射线能力强,但加工精度要求
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本文比较讨论了制作256K位以上容量的MOS动态RAM的三种迭式电容器型存贮单元。这是把存贮电容器迭加在晶体管和场氧化膜上面构成的存贮单元。其抗X射线能力强,但加工精度要求却不太高,而且,用小存贮单元也能获得大的电容。这里选择的是适合于3μm和2μm技术的结构,用3μm设计规则试制了16KRAM。
This article compares three types of stacked capacitor memory cells that make MOS dynamic RAM with 256K or more capacity. This is the storage capacitor superimposed on the transistor and field oxide film formed above the storage unit. Its anti-X-ray ability, but the processing accuracy is not too high, and, with a small memory cell can also get a large capacitance. The structure that is suitable for the 3μm and 2μm technologies is selected here, and the 16KRAM is prototyped with the 3μm design rule.
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