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化学机械抛光（CMP）在半导体工业内获得了广泛的赞同，对控制形貌起伏的硅片表面当作首选方法、一种可供选择的基于白光测量原理之上的非接触光学形貌测量法被推出，和大多数商业化只能以纳米精度测量不透明表面的白光干涉测量仪不同，新推出的方法是通过单频相位干涉测量仪（PMI）能够以相似的精度测量透明的可变化反射像的表面结构，这个可变化的反射相也许是由于单层或多层薄膜堆叠在一个底层上的多层表面材料特性所引起的，或者是硅片上其它微结构所引起的、因而，在化学机械抛光加工处理过程中的某些不合格项，例如，碟形腐蚀，可以直接用