【摘 要】
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基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种工作在300 GHz的高增益、3阶谐波混频器.在谐波混频器中,提出将射频电感与接收天线设计为一体的新思路,不仅避免了二者之间的匹配,还减小
【机 构】
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江苏大学电气信息工程学院,江苏镇江,212013;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
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基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种工作在300 GHz的高增益、3阶谐波混频器.在谐波混频器中,提出将射频电感与接收天线设计为一体的新思路,不仅避免了二者之间的匹配,还减小了芯片尺寸.该谐波混频器包括片上天线、混频模块、IF放大器等.仿真结果表明,片上环形天线的谐振频率点在300 GHz附近,射频电感在300 GHz附近为21.9 pH,混频模块的转换增益为-5.4 dB,IF放大器的电压增益为23.5 dB,谐波混频器的最大转换增益为14.9 dB.当谐波混频器的转换增益大于0 dB时,输出频率带宽为0.05～12.47 GHz.
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