工艺参数和热处理温度对ZrW_2O_8薄膜制备的影响

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采用WO3和ZrO2复合陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、表面粗糙轮廓仪和扫描电子显微镜(SEM),研究了不同工艺参数和不同退火温度对ZrW2O8薄膜的相组成、沉积速率和表面形貌的影响。采用高温X射线衍射和PowderX软件研究薄膜的负热膨胀特性。实验结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加;而随着工作气压的增加,薄膜沉积速率先增加后减小;磁控溅射沉积制备的ZrW2O8薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗
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