Mn^＋注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性

来源 :武汉大学学报：理学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：HuSiYou

【摘要】

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用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn+离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm

【作者】

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石瑛林玲蒋昌忠付德君范湘军

【机构】

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武汉大学

【出处】

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武汉大学学报：理学版

【发表日期】

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2004年5期

【关键词】

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GAN薄膜结构磁性离子注入半导体材料超导量子干涉仪 GaN films ion implantation structure magnetism

【基金项目】

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国家自然科学基金，教育部留学回国人员科研启动基金，中国科学院实验室基金

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用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn+离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm-2,被注入的p型GaN处于室温.对注入样品的快速热退火处理是在N2气流中进行的,温度约为800℃,时间为30～90s.采用X射线衍射(XRD)、卢瑟福背散射(RBS)和原子力显微镜(AFM)研究,发现Mn+注入GaN膜的结构受注入剂量和退火条件的控制.通过超导量子干涉仪(SQUI

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