980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析

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【摘要】

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光抽运半导体垂直外腔面发射激光器（Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity SurfaceEmission Laser）的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为

【作者】

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程立文梁雪梅秦莉王祥鹏盛阳宁永强王立军

【机构】

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院研究生院,Crosslight公司中国分公司

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

半导体激光器垂直外腔面发射激光器光抽运量子阱理论模拟 semiconductor lasers vertical external-cavity su

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（60577003,60476029,60676034,60636020）Crosslight公司中国分公司的杨猛先生提供了软件使用并给予了悉心的技术支持和指导,在此表示感谢.

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光抽运半导体垂直外腔面发射激光器（Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity SurfaceEmission Laser）的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为重要。设计了一种以808 nm二极管激光耦合模块为光抽运光源,In0.159Ga0.841As/GaAs0.94P0.06为增益介质的980 nm光抽运垂直外腔面发射激光器,并借助于PICS3D软件计算了器件各种特性参数。分析了芯片半径、量子阱的周期数以及外腔镜反射率

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