【摘 要】
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在注As硅中观察到7个深能级谱峰.CO_2激光退火是消除离子注入引入的深能级缺陷的有效方法.消除深能级缺陷的功率密度范围为 350W/cm~2-600W/cm~2与注入杂质激活的功率密度范
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系
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在注As硅中观察到7个深能级谱峰.CO_2激光退火是消除离子注入引入的深能级缺陷的有效方法.消除深能级缺陷的功率密度范围为 350W/cm~2-600W/cm~2与注入杂质激活的功率密度范围基本一致.功率密度高于600W/cm~2的CO_2激光扫描,在样品中引入比较单纯比较清洁的滑移位错.用DLTS测量,测得滑移位错的深能级为H(0.33eV).
Seven deep level peaks were observed in As-As silicon.CO_2 laser annealing is an effective method to eliminate the deep-level defects introduced by ion implantation.The power densities to eliminate deep level defects range from 350W / cm to 2-600W / cm ~ 2 is basically consistent with the activation power density of the implanted impurities.When CO_2 laser scanning with power density higher than 600W / cm ~ 2, relatively simple and slippery dislocations were introduced into the samples.Using DLTS measurements, the slip The level of dislocation is H (0.33eV).
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