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使用模具并采用磁控溅射法在铁电陶瓷PZT基体上沉积具有条形分布结构的NiTiSMA薄膜。显微组织结构观察发现，以条形分布结构方式沉积的NiTiSMA薄膜晶化处理后具有等轴晶结构。比较所制备PZT／Ni—TiSMA薄膜复合材料与纯PZT的介电常数及介电损耗发现，两者的介电损耗水平接近；复合材料的介电常数比纯PZT的提高约18％。NiTiSMA的沉积使基体中靠近薄膜区域的Zr／Ti物质的量比恰好落在准同型相界区内，致使所制备复合材料的介电性能优于纯PZT。