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在CCSD（T）／6—311G（d，p）／／B3LYP／6—311G（d,p）＋ZPVE水平下，对反应NO＋HCCCO进行了研究．建立了反应势能面，揭示了该反应的反应机理，通过O迁移、C—C键或N-O键断裂等多步反应，得到4种产物，其中，最主要产物为P1（HCCO＋NCO）．
NO＋HCCCO反应势能面的理论研究
【摘 要】
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在CCSD（T）／6—311G（d，p）／／B3LYP／6—311G（d,p）＋ZPVE水平下，对反应NO＋HCCCO进行了研究．建立了反应势能面，揭示了该反应的反应机理，通过O迁移、C—C键或N-O键断裂等多步反应，得到4种产物，其中，最主
【机 构】
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吉林大学理论化学研究所,原子与分子物理研究所
【出 处】
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高等学校化学学报
【发表日期】
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2008年1期
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