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通过685～750℃之间进行低温成相，在LaAlO3（LAO）单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体DyBiO3（DBO）缓冲层。结果表明：所得的缓冲层C轴取向良好，致密、平整、无裂纹。当温度大于750℃时，DBO表面开始变得粗糙。沉积在DBO缓冲层上的YBCO超导层C轴织构的样品，样品表面平整均匀，超导转变温度在90K左右，临界电流密度大于1MA／cm^2。从工业应用角度讲，低温的缓冲层制备具有极大的经济优势，应用前景更为广泛。