用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zjpjwxd
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研究了一种应用于微放电器的聚酰亚胺绝缘材料的工艺及性能.分析了聚酰亚胺制备过程中 亚胺化程度以及图形化过程中反应离子刻蚀功率、气体流量、气体成分、清洗等因素对于薄 膜质量、刻蚀速率和残留物的影响,设计了用于测定聚酰亚胺介电常数和击穿强度的电路.实验表明,当聚酰亚胺热环化采用阶梯升温方式,反应离子刻蚀功率为60 W、O2流量为60 cm3/min(标准状态)、加入5%SF6或10% CHF3时,可保证较好的薄膜质量且获得较高 的刻蚀速率.实验测得聚酰亚胺相对介电常数为2.8,介电击穿强度为125 V/μm,使用该聚酰亚胺作为绝缘层而制备的微放电器可在10 kPa SF6中稳定放电.
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