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外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器（VCSEL）是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜（DBR）反射谱的影响，并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积（MOCVD）制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法。据此，应用MOCVD生长了980nmVCSEL外延片，其反射谱中心波长为982nm。结果表明，应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据。