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本文全面地介绍了ａ－Ｓｉ ＴＦＴ ＡＭ－ＬＣＤ制备工艺中的湿法刻蚀。通过改变刻蚀液的配比和刻蚀条件，达到了优化湿法刻蚀的目的。并达到了高的选择比，解决了沟道刻蚀困难的问题。而且克服了湿法刻蚀的刻蚀液不配比不当出现的针孔，以及刻蚀时间过长，渗透光刻胶的边缘出现的钻蚀。在单管器件的制备中做到了实际的应用。