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ZnO是新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体,由于其特殊的结构性质,使其在许多领域上有广泛的应用.采用沉淀法和水热法分别合成了棒状ZnO纳米材料和盘状ZnO纳米材料,X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)都表明成功合成了不同形貌的六方纤锌矿结构的盘状ZnO和棒状ZnO;比表面积分析(BET)说明盘状ZnO和棒状ZnO具有不同的比表面积、孔容和孔径;电子顺磁共振(EPR)对纳米ZnO的电子结构进行了初步研究,研究结果表明盘状ZnO和棒状ZnO具有不同的电子密度.