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利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管.制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9％的p-AlGaN电子阻挡层；Al摩尔分数为11％的p-AlGaN电子阻挡层；Al摩尔分数为20％的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层.带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED.带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW.此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布.