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用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-3,相应的电子迁移率为177 cm2/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6 arcmin.;A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730 cm2/Vs,相应的电子气面密度为7.6×1012 cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室