OptiMOS-T-新型55V车Trench MOSFET

来源 :电子产品世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hj12141

【摘要】

：

这种MOSFET在大多数应用中用作功率转换。55V的OptiMOS-T trench MOSFET允许在一个小面积下大幅度增加沟道密度，使在一个DPAK中电阻值达到5．5mΩ，在D2PAK中仅为2．7mΩ。

【出处】

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电子产品世界

【发表日期】

：

2005年01A期

【关键词】

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OptiMOS-T TRENCH MOSFET 坚固封装热循环能力性能特征

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