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采用磁控溅射技术，共溅射CuIn合金靶和纯In靶，CuIn合金靶的溅射功率不变．通过改变纯In靶的溅射功率，制备了具有不同In／Cu原子比的CuIn预制层；然后以固态硒粉为硒源，采用三步升温硒化方式对CuIn预制层进行硒化。通过EDS、XRD和SEM分析方法，研究了预制层中不同的In／Cu原子比对铜铟硒（CIS）薄膜的成分、结构和形貌的影响。结果表明：CIS薄膜主要由CuInSe2相构成，但存在少量的CuSe相，随着CuIn预制层中In／Cu原子比的逐渐增大，CuSe相所占比例减少.CIS薄膜中In／Cu