SiC加热元件在N2气氛下使用损毁机理研究

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用XRD和SEM对在N2气氛使用后SiC加热元件的物相组成和显微结构进行了分析,并对损毁机理进行了探讨,结果表明:未变质部分的气孔较多,腐蚀性气体易通过气孔与SiC反应造成损毁,并存在Si、K2O和FeSi杂质相,此杂质相也可加速损毁;由于在N2气氛中氧分压较低,不能形成保护性玻璃膜,N2中的少量O2易与SiC加热元件反应使其氧化导致结构疏松,加剧氧化损毁;炉内烧制的含Al、Si和C的耐火材料中挥发出的Al(g)、Al2O(g)和CO(g)等与SiC加热元件反应,生成β-SiC、SiO2和Al2O3,致使SiC加热元件变质损毁.
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