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利用半导体ＰＮ结器件一维模拟程序ｍＰＮＤ１Ｄ，计算了二极管在不同电磁脉立足 电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量，并对结果作了初步分析。
二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系
【摘 要】
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利用半导体ＰＮ结器件一维模拟程序ｍＰＮＤ１Ｄ，计算了二极管在不同电磁脉立足 电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量，并对结果作了初步分析。
【机 构】
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常德师范学院电子学研究所,西北核技术研究所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家 8 63激光技术领域,,湖南省高校科研青年项目资助课题
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