具有纳米结构的VO2相变薄膜

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采用无机溶胶-凝胶法制备VO2相变薄膜,该薄膜相变时的电阻(率)突变可达4 ̄5个数量级。并用XRD、DSC和TGA法了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构,通过适当的非晶晶化过程及随后V2O5→VO2转变的真空热处理,可获得带有空洞结构的低密度纳米薄膜,从而使电阻(率)突变特性异常优异。
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