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本文详细地研究了通氧热压烧结参数(T,P,t)对KTN铁电陶瓷密度的影响,获得优化烧结条件;制备出密度为理论值的98.4%,电阻率为10~(12)Ω·cm的KTN陶瓷.对KTN陶瓷的介电性能和热释电系数测量表明:成份为x=0.5和0.6的样品在室温范围内,介电常数为2000,介电损耗tanδ=0.002,热释电系数λ=2×10~(-8)coul/cm~2K.该陶瓷材料可用于制作热释电探测器.