【摘 要】
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设计了一种用于DC-DC开关电源芯片的高电源抑制比、低温漂系数带隙基准电路.基于0.5 μm BCD工艺,仿真结果表明,在不显著增加电路面积损耗的前提下,该电路的电源抑制比在低频
【机 构】
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安徽大学电子科学与技术学院,合肥230601;淮北师范大学物理与电子信息学院,安徽淮北235000
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设计了一种用于DC-DC开关电源芯片的高电源抑制比、低温漂系数带隙基准电路.基于0.5 μm BCD工艺,仿真结果表明,在不显著增加电路面积损耗的前提下,该电路的电源抑制比在低频下接近110 dB,100 kHz时约为50 dB,1 MHz时约为40 dB;通过高温时的高阶温度补偿,0℃～100℃范围内的温度系数低于1.0×10-5/℃.此外,电流温度补偿的运用可有效地减小电流温度系数,从而使得芯片中的振荡器的频率输出更加稳定.
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