【摘 要】
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本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京电子器件研究所
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本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了/SiO_2和Al_2O_3,制备成MIS结构.结果表明这些MIS结构具有良好的C-V特性,SiO_2/GaInAs界面在密度最低达 2.4×10~(11)cm~2·eV~(?),氧化物陷阱电荷密度达10~(?)～10~(10)cm~2,观察到GaInAs/SiO,结构中的深能级位置为E_c-E_T=0.39eV.GaInAs/Al_2O_3结构中的深能级位置为E_c=E_T=0.41eV.
In this paper, the interfacial properties between GaInAs / SiO_2 and GaInAs / Al_2O_3 are investigated. The PECVD technology is used as the source of TEOS and the n-Ga_ (0.47) In_ SiO 2 and Al 2 O 3 were deposited on the 0.33 As As epitaxial layer to form MIS structure.The results show that these MIS structures have good CV characteristics.The SiO 2 / GaInAs interface has the lowest density of 2.4 × 10 11 cm 2 · eV (?) ~ 10 ~ (10) cm ~ 2, the deep level position of GaInAs / SiO was observed as E_c-E_T = 0.39eV.GaInAs / Al_2O_3 The deep level position in the structure is E_c = E_T = 0.41eV.
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