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具有非磁性中间层的RE—TM双层垂直磁化膜耦合研究
具有非磁性中间层的RE—TM双层垂直磁化膜耦合研究
来源 :信息记录材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:etoy
【摘 要】
:
研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层(TbFeCo)和写入层(DyFeCo)中加入TiN非磁性层后的耦合性能.当TiN层为3~21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为0.2~0.3erg/cm2,如果
【作 者】
:
王浩敏
林更琪
廖红伟
彭烈涛
李震
王可
【机 构】
:
华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
:
信息记录材料
【发表日期】
:
2002年2期
【关键词】
:
非磁性中间层
RE-TM双层垂直磁化膜
耦合
研究
交换耦合
磁光薄膜
exchange couple
nonmagnetic intermediate la
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研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层(TbFeCo)和写入层(DyFeCo)中加入TiN非磁性层后的耦合性能.当TiN层为3~21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为0.2~0.3erg/cm2,如果能精确控制TiN的厚度,就可以控制层间耦合能,从而改善MO薄膜的读写特性.
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