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为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管（InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs）电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD（technology computer-aided design）分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅（floating gate,FG）IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,