原位合成MoSi2一SiC复合材料的室温增韧

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【摘要】

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原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合

【作者】

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孙祖庆张来启杨王玥傅晓伟朱静

【机构】

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北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京科技大学材料科学与工程学院,清华大学材料科学与工程学院

【出处】

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金属学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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MoSi2-SiC复合材料原位合成断裂室温增韧

【基金项目】

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国家自然科学基金;

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原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的结合力、MoSi2基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接.

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