【摘 要】
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在PbO_2中掺MnO_2,用射频偏压溅射技术制成PbO_2/MnO_2半导体薄膜,有较好的高低温特性,用它首次制成了TLMM薄膜大容量电容器.用粉末溅射法制备了纯正化学状态的MnO_2膜,已用
【机 构】
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上海测试技术研究所,上海电子通讯设备研究所,上海交通大学
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在PbO_2中掺MnO_2,用射频偏压溅射技术制成PbO_2/MnO_2半导体薄膜,有较好的高低温特性,用它首次制成了TLMM薄膜大容量电容器.用粉末溅射法制备了纯正化学状态的MnO_2膜,已用于光电倍增管的制造.用ESCA和AES技术监测工艺过程中薄膜组分含量及化学状态,从而调整了工艺参数与靶材比率.
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