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利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN：Tb薄膜。XRD结果显示，该薄膜为纳米晶结构，根据Scherrer公式，计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4．8nm；紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75％，同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3．07eV；测量了薄膜的室温光致发光谱，获得了Tb^3＋在可见光区（位于497．0，552．4，594．2以及627．8nm）的本征发光。