微波GaAs/AlGaAs高电子迁移率晶体管

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采用国产分子束外延设备及国内外尚未报导的部分工艺,试制出具有微波特性的高电子迁移率品体管,其跨导80~135mS/mm,在4GHz下,最小噪声系数2.49dB,最大功率增益10.2dB。
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