丝印电极的刮印角度和银浆特性对多晶硅太阳电池性能的影响

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:szhzm4158
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过调整斜角刮板刮印角度, 并匹配不同粘度和固含量银浆, 能够做到在降低成本的同时提高电池效率而又不影响电池片印刷质量。采用三种不同刮印角度斜角刮板,银浆选用杜邦PV18系列两种不同特性的银浆, 分析银浆耗量及电池电性能结果, 测试电池栅线高度、宽度、表面形貌及表面接触电阻以观察印刷效果。结果表明:随刮印角度的增加, 银浆耗量持续降低;适当提高银浆粘度和固含量能印刷出更大高宽比的栅线, 对短路电流和电池效率都能有一定的增益。使用PV18系列银浆时粘度和固含量为390 Pa.s/91.2 %、斜角刮板采用60°时刮印角度时设计电池转换效率最高、印刷效果最好且成本较低。
其他文献
提出了一种基于光栅衍射原理的椭圆反射式波带片(ERZP)光线追迹算法,分析了ERZP的衍射聚焦和能谱分辨特性。基于该算法,将ERZP光线追迹模块添加到光学仿真软件X-LAB中,使之具有了计算量小、效率高等优点,这对含有ERZP光学系统的设计和数值模拟具有重要意义。
以乙二醇为溶剂, 采用低温溶剂热法制备了Ho3 /Yb3 共掺杂In2O3纳米晶。利用X射线晶体衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对粒子的结构和形貌进行表征, 结果表明, 合成的样品为纯的立方相In2O3, 颗粒尺寸约为30 nm。通过上转换发光(UCL)光谱研究了粒子的上转换发光性质, 在980 nm半导体激光激发下, In2O3∶Ho3 ,Yb3 纳米晶发射出强的绿色和弱的红色上转换发光, 分别归属于Ho3 离子(5F4,5S2)→5I8和5F5→5I8跃迁。研究了不同Ho3 和Yb3 离子掺杂
为分析陶瓷碗表面缺陷的形状、位置及方向等三维信息,提出了一种基于多幅图像的局部点云重建算法。该算法首先利用已标定的双目摄像头从任意角度获取多张表面缺陷图片,然后采用FAST+SURF+FLANN图像特征点提取及匹配算法得到准确度高的匹配点对,最后采用运动恢复结构算法并结合基于面片的多视角立体重建算法,实现二维表面缺陷的局部三维重建。由于局部三维重建无法很好地描述缺陷方向及位置信息,因此采用手动增加
针对视觉里程计在弱纹理的道路环境下定位精度骤降的问题,提出一种双目视觉里程计优化算法。首先,通过提取局部特征平面,为立体匹配缺失的特征提供平面约束,增加有效立体特征的数量;其次,在特征追踪过程中,使用匀加速运动模型,提高特征追踪的数量和质量;最后,在位姿计算和优化过程中,使用考虑特征置信度的光束法平差算法来减少远距离特征引入的误差影响,提高算法的精度和稳健性。数据集实验和实际场景实验表明,该算法在
红外传感器的前端采用高精度的A/D采样芯片具有14位的高动态范围,而显示设备一般支持256个灰度等级,只有8bit的数据带宽。为保留图像的高动态范围并同时保留重要的低对比度的细节,提出了一种新的基于直方图的红外图像动态压缩算法。通过频域分离完成低对比度细节保留和增强,以及通过时域动态范围拉伸实现背景和目标细节分离的策略,很好地解决了保留较强的细节对比度和大幅度动态范围缩减的矛盾需求。实验结果表明,
应用傅里叶退卷积、自回归模型与截断奇异值分解相结合的方法(简称为FAT方法),获得了比采用常规变换方法高得多的光谱分辨率。与研究光谱超分辨率的其它方法相比,用FAT方法进行光谱超分辨率估计,有分辨率高、谱线细锐、抗噪声能力强和无伪峰等许多优点。
利用深反应离子刻蚀技术或湿法腐蚀在硅上制作光栅结构,将与光栅浸润的液体作为载体携带铋纳米颗粒进入光栅结构内,形成致密排列,从而制作出X射线吸收光栅.致密地填充了周期为42 μm、刻蚀深度为150 μm的光栅结构,比较了其与微铸造法制作的铋块体吸收光栅的X射线吸收性能,并通过填充周期为24 μm和6 μm的光栅结构,研究了光栅周期与填充致密性之间的关系.扫描电镜测试结果显示自由沉降法可有效制作较大周期光栅,但对周期为6 μm光栅结构填充的致密性不佳。分析结果表明,对于小周期吸收光栅,需筛选所用填充颗粒,以保
光时域反射仪(OTDR)是通信链路中光纤特性测试的专用仪器, 半导体激光器是OTDR的关键元器件, 激光器的性能直接影响OTDR的测试距离、测试精度等。为适应OTDR的应用需求, 提出并研制了一种非对称分别限制(SCH)激光器, SCH结构可有效提高激光器的输出功率和斜率效率。同时, 采用应变多量子阱结构来提高器件的温度特性。研制的1550nm±20nm工作波长的激光器, 其单模尾纤输出功率大于等于60mW(工作电流300mA, 25℃), 激光器上升/下降时间小于1ns, 完全满足OTDR长距离、高精度
期刊
采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征TiO2材料具有直接带隙型能带,其带隙宽度为2.438 eV,Al掺杂TiO2材料同样具有直接带隙型能带,其带隙宽度降低至2.329 eV.本征TiO2与Al掺杂的TiO2材料均含有五个子能带,但是Al掺杂TiO2 材料子能带位置发生改变.Al掺杂在TiO2材料价带中引入大量新的能级,降低了费米能级上的态密度,Al掺杂为n型掺杂.对于Al掺杂TiO2材料来说, s态电子和p态电子主要在Al 掺杂TiO2