【摘 要】
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1.引言除其它半导体材料外,Cd_xHg_(1-x)Te因质优而可制作高品质红外光子探测器。探测度D_λ~*≥1×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)(λ=10微米)、时间常数τ≤1微秒的探测
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1.引言除其它半导体材料外,Cd_xHg_(1-x)Te因质优而可制作高品质红外光子探测器。探测度D_λ~*≥1×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)(λ=10微米)、时间常数τ≤1微秒的探测器,工作温度T=77K时,得用载流子浓度n<10~(15)厘米~(-3)、霍尔迁移率μ_H>100000厘米~2·
1. Introduction In addition to other semiconductor materials, Cd_xHg_ (1-x) Te is superior in quality and can produce high quality infrared photon detectors. Detector D_λ ~ * ≥1 × 10 ~ (10) cm · He ~ (1/2) · W -1 (λ = 10μm), detector with time constant τ≤1μs, working temperature T = 77K, the carrier concentration n <10 ~ (15) cm ~ (-3), the Hall mobility μ_H> 100000 cm ~ 2
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