【摘 要】
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从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质,以GaAs/AlxGa1-xAs超晶格为例进行数值计算,分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量(阱宽,
【基金项目】
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北京市教育委员会科技发展计划项目资助(项目编号:2228132)
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从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质,以GaAs/AlxGa1-xAs超晶格为例进行数值计算,分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量(阱宽,垒宽,势垒高)的变化关系·计算表明:随着入射光光子能量的变化,出现非对称的吸收峰;光强只改变吸收系数大小;超晶格结构参量会改变吸收谱的谱宽和吸收峰所对应的入射光频率·随着超晶格阱宽(垒宽)的增大,吸收谱由宽变窄,吸收峰红移;随着超晶格Al组分变大,吸收谱变窄·
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