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多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟
多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟
来源 :大连理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jonay123
【摘 要】
:
通过对多晶硅发射极晶体管(PET)的多晶硅及界面层导电特性的分析, 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式,并以此为自洽的 边界条件,在单晶区数值求解一组描述晶体管电
【作 者】
:
周长胜
邹赫麟
【机 构】
:
大连理工大学物理系,大连理工大学物理系
【出 处】
:
大连理工大学学报
【发表日期】
:
1993年4期
【关键词】
:
多晶硅
界面层
发射极晶体管
polysilicon
interfacial layer
polysilicon emitter teansistor
【基金项目】
:
国家“八五”重点科技攻关预研课题
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通过对多晶硅发射极晶体管(PET)的多晶硅及界面层导电特性的分析, 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式,并以此为自洽的 边界条件,在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程,得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及PET的端电流特性.
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