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通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及ＰＥＴ的端电流特性．
多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟
【摘 要】
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通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电
【机 构】
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大连理工大学物理系,大连理工大学物理系
【出 处】
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大连理工大学学报
【发表日期】
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1993年4期
【基金项目】
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国家“八五”重点科技攻关预研课题
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