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0 引言ZnO是一种具有六角形纤锌矿晶体结构的宽带隙半导体材料.室温下的带隙宽度约为3.37eV。一维纳米结构的ZnO是一种具有重要应用价值的半导体材料,室温下的激子结合能高达60meV,可用于制作短波长光电器件,如放光二极管、紫外光探测器、高频滤波器和紫外激光器等,制作发光器件可以获得更高的光增益.也使ZnO在大幅度提高光存储密度方面具有巨大的潜在应用价值。纳米尺寸的ZnO材料还具有高效率、低电压磷光性.因此可以用作低电压平板显示器的发光材料.在场发射显示器和平板显示器等工业领域具有广泛应用前景。ZnO