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我们测量了La2-xMxCuO4(LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x〈1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用.而在x〉1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.