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讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术。使用Chartered0.25gmRFCMOS工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA。后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为.20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为.13.0dBm,三阶交调点IIP3为.O.06dBm,消耗的电流为8.19mA。