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为研究退火温度对生长8相V2O5纳米棒的晶体结构、光学和电学性质的影响规律，采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上生长了非晶态V2O5薄膜，样品经一定温度区间的O2氛围退火后，开始生成β相V2O5纳米棒。实验表明，在一个狭窄温度范围内，V2O5纳米棒光电性能呈现温度敏感特性；室温下，所制样品在紫外及近紫外线波长范围具有很高的吸收率，在近红外线波长范围具有较高的透射率；其中，经500℃热处理的样品，高低温电阻变化了2个数量级，相变温度出现在350℃左右。