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22nm、14nm工艺代中,鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,Fin FET)因为其制作工艺与传统的平面沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的制作工艺的兼容性更好,逐渐成为主流的器件结构。本文介绍Fin FET器件的发展历程,以及当前较为常见的Fin FET结构及其相应的特点。