【摘 要】
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Hg_(1-x)Cd_xTe是光伏和光导红外光子探测器用的重要半导体材料。Hg_(1-x)Cd_xTe可在大气压下,由500℃、汞蒸汽压低于0.1大气压的富Te溶液液相外延生长得到。这样低的汞蒸汽
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Hg_(1-x)Cd_xTe是光伏和光导红外光子探测器用的重要半导体材料。Hg_(1-x)Cd_xTe可在大气压下,由500℃、汞蒸汽压低于0.1大气压的富Te溶液液相外延生长得到。这样低的汞蒸汽压使有可能采用开管、滑块生长工艺。本专利提出一加盖的石墨滑移系统,其中有一附加汞源,用来减少源片的汞损失,并有效地防止了(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y生长液的汞损失。
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