【摘 要】
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在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,求出了P-型金刚石膜的电导率.在价带分裂模型下得到了压阻的计算公式,计算了微应力作用下金刚
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在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,求出了P-型金刚石膜的电导率.在价带分裂模型下得到了压阻的计算公式,计算了微应力作用下金刚石膜的压阻,压阻和应力的变化(△ε)有比较好的线性关系,张应力情况下压阻大于零,压应力情况下压阻小于零.从理论上给出了压阻和温度的关系,计算了压阻随温度的变化,压阻随着温度的上升而单调减小.
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