SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究

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【摘要】

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在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC

【作者】

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廖伟罗小蓉廖勇明洪根深龚敏

【机构】

：

四川大学物理系

【出处】

：

四川大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2001年S1期

【关键词】

：

6H-SIC MOS电容 Γ辐照 H-SiC MOS capacitor γ-ray irradiation

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在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .

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