【摘 要】
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介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,中国科学院研究生院,北京恒泰技术有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（批准号：90307014）
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介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低了运放的失调电压、1/f噪声和温漂等低频噪声.该设计基于0.35μm CMOS工艺,电源电压3.3V,运放的开环增益超过100dB,输入等效失调电压低至11μV,总功耗仅为1.48mW.应用该运放实现的pH微传感器已通过实验验证.
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