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相对于其它“后光学”光刻技术，在０．１３μｍ甚至０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然有强大的吸引力，随着光学光刻极限分辨率的不断提高，当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难，对其中一些关键的技术解决方案进行了分析。
深亚微米光学光刻设备制造技术
【摘 要】
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相对于其它“后光学”光刻技术，在０．１３μｍ甚至０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然有强大的吸引力，随着光学光刻极限分辨率的不断提高，当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。
【机 构】
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中国科学院微电子中心三室
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2000年2期
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