【摘 要】
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本文首先以刚度矩阵法为基础,给出了ZnO薄膜/金刚石在四种不同激励条件下的有效介电常数计算公式.然后以此为工具,分别计算了多晶ZnO(002)薄膜/多晶金刚石和单晶ZnO(002)薄膜
【机 构】
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天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津理工大学电子信息工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,
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本文首先以刚度矩阵法为基础,给出了ZnO薄膜/金刚石在四种不同激励条件下的有效介电常数计算公式.然后以此为工具,分别计算了多晶ZnO(002)薄膜/多晶金刚石和单晶ZnO(002)薄膜/多晶金刚石的声表面波特性,并根据计算结果及设计制作声表面波器件的要求,对ZnO膜厚的选择进行了详细地分析.最后讨论了ZnO/金刚石/Si复合晶片可以忽略Si衬底对声表面特性影响时对金刚石膜厚的要求.
In this paper, firstly, based on the stiffness matrix method, the effective dielectric constant formula of ZnO thin film / diamond under four different excitation conditions is given. Then, the calculation of effective dielectric constant of polycrystalline ZnO (002) / polycrystalline Diamond and single crystal ZnO (002) thin film / polycrystalline diamond surface acoustic characteristics, and according to the calculation results and the design requirements of surface acoustic wave device, the choice of ZnO film thickness were analyzed in detail.Finally discussed the ZnO / Diamond / Si composite wafer Si substrate can ignore the impact on the acoustic properties of diamond film thickness requirements.
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