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ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共沉积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ，Ｘ为Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ（１１０）／／ＧａＳｂ（１００），由此可以得到：它们晶格失配度为４．６６％，ＧａＳｂ是已采用生长ｃ－ＧａＮ衬底材料中较好的一种。