【摘 要】
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为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2 (CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu
【机 构】
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清华大学,机械工程系,北京,100084
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为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2 (CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层.采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构.结果表明: Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区; 在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS, 且晶体结构为单一的黄铜矿相. CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2 kΩ·cm.
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