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用直流磁控溅射和快速真空磁场退火工艺在玻璃基片上制备了［NiFe/Ag］n不连续多层膜。从理论上分析了不连续膜低响应、高磁电阻值的机制，不连续膜模型介于多层膜模型及颗粒膜模型之间。研究了工艺条件，即退火温度、退火时间及空间层Ag厚度对不连续膜巨磁电阻特性的影响，并对工艺条件进行了优化，在常温下获得巨磁电阻值13%，饱和场Hs<800 A/m，磁场灵敏度1.3%／80 Am-1的优质薄膜材料。