芯片封装过程热超声制造界面多参数影响的规律与控制

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在中国国家自然科学基金重大项目《先进电子制造中的重要科学技术问题研究》资助下,提出芯片封装界面制造过程多参数影响规律与控制之科学问题。获得包括界面键合结构与强度生成机制、超声作用下键合界面的运动行为、超声能输入系统动力学与超声能量传递模型等3个方面的研究成果。对上述成果提出研究报告。 为认识外能场对界面物质的作用机制,采用高分辨透射电镜(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)观察超声键合点(Bonding Interface,BI)连接界面微结构及生成条件,观察到超声作用界面材料位错密度剧增,表明界面没有发生高温,界面超声键合是在较低的温度下进行扩散键合,推断,超声键合过程中位错/表面扩散起重要作用。提出微观位错管道快速扩散成形机制——超声键合过程中激活的原子通过位错通道迅速达到表面和晶界
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