【摘 要】
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采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar气流量（1.67×10-7 m3/s～8.33×10-7
【机 构】
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天津职业技术师范大学电子工程学院,天津理工大学材料物理所,南开大学信息学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（10904109）, 天津市自然科学基金（09JCYBJC27300）, 天津市高校科技发展基金（20110711）,天津市高校科技发展基金（20100712）资助项目
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采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar气流量（1.67×10-7 m3/s～8.33×10-7 m3/s）,优化了ZAO薄膜的结构、成份及光电性能。得到如下结论：理想的Ar气流量为3.33×10-7 m3/s,此时ZAO薄膜具有较高的晶化率和C轴择优取向,薄膜的霍尔电阻率达为4.26×10-4Ω.cm,载流子浓度达到1.8×1021cm-3,可见光波长范围内
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